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英伟达拟生产定制化 NVHBM?业内人士称定制基底裸片已成趋势

英伟达要生产定制化NVHBM?业内人士称定制基底裸片已成趋势

AI 导读

有消息称,英伟达要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电 3nm 制程基底裸片、搭配第六代 DRAM 核心裸片生产 NVHBM,三星电子已决定接受。三星电子 10 月 19 日回应称,不对涉及客户的事项发表评论。

正文

有消息称,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片(Base Die)为其生产NVHBM(英伟达的定制HBM技术,HBM即高带宽内存),核心裸片(Core Die)则采用第六代DRAM(动态随机存取存储器)技术,三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。 对于此事的真实性,10月19日,三星电子回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。

来源:华尔街见闻·要闻 · wallstreetcn.com