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英伟达或要求三星、SK海力士和美光采用定制基底裸片生产 NVHBM，业内称此举已成趋势
英伟达要生产定制化NVHBM？业内人士称定制基底裸片已成趋势
AI 导读
有消息称，英伟达要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程基底裸片生产 NVHBM，核心裸片采用第六代 DRAM；三星已决定接受相关要求。三星电子回应称，不对涉及客户的事项发表评论。
正文
有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（Base Die）为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），核心裸片（Core Die）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性，10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。（一财）
来源：华尔街见闻·A股快讯 · wallstreetcn.com