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报道：三星将采用台积电技术为英伟达生产下一代内存芯片
AI 导读
三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。报道称，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作；英伟达还要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，并以第六代DRAM技术制造核心芯片。
推荐理由
报道涉及三星、台积电与英伟达定制HBM芯片的制造安排，并指出合作将延伸至基底裸片生产环节。
正文
三星电子将采用台积电的3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片。此举将标志着三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。 据业界消息人士透露，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基底裸片，并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。
来源：华尔街见闻·要闻 · wallstreetcn.com