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高盛:高带宽闪存有望破解 AI“内存墙”,潜在市场规模最高 1500 亿美元

高盛:高带宽闪存有望破解AI“内存墙” 潜在市场规模最高1500亿美元

AI 导读

高盛研报指出,随着 AI 推理需求快速增长,存储容量不足成为算力效率瓶颈,高带宽闪存(HBF)等新型 NAND 技术有望缓解“内存墙”并降低 AI 基础设施成本。在 GPU 采用率达到 15% 至 50% 的情况下,HBF 潜在市场规模可达 400 亿至 1500 亿美元;高盛看好闪迪和 SK 海力士,维持“买入”评级,三星电子也有望受益,美光维持“中性”评级。

正文

【高盛:高带宽闪存有望破解AI“内存墙” 潜在市场规模最高1500亿美元】财联社10月13日电,高盛12日发布研报指出,随着AI推理需求快速增长,存储容量不足正成为制约算力效率的重要瓶颈。高带宽闪存(HBF)等新型NAND技术有望缓解这一“内存墙”问题,并显著降低AI基础设施成本。该行预计,在GPU采用率达到15%至50%的情况下,HBF潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。高盛看好闪迪和SK海力士的HBF技术领先优势,维持两家公司“买入”评级;三星电子同样有望受益。相比之下,美光因业务重心偏向DRAM和HBM,直接受益程度较低,维持“中性”评级。

来源:财联社电报 · api3.cls.cn