MemSilicon完成1Gb RRAM芯片流片

MemSilicon宣布完成首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号”流片，芯片采用28nm CMOS工艺和1T4R结构，容量为1Gb，密度达30Mb/mm²，访问延时小于20ns。芯片集成硬件纠错电路，目前正在推进验证。