三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

据报道，三星计划采用台积电3纳米工艺，为英伟达生产下一代定制HBM基底裸片。英伟达已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM基底裸片生产中采用这一工艺，以确保性能一致；这将使三星在HBM制造阶段与台积电展开合作。